ДомойДокументыКт817 характеристики транзистора – Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Кт817 характеристики транзистора – Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Наши юристы подготовили самую важную информацию на тему: "Кт817 характеристики транзистора – Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог" и тема была обширно раскрыта с профессиональной точки зрения. Если вы хотите получить дополнительную информацию, можете обратиться к нашему юристу

Устройство

Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: эмиттера (обозначается «Э», англ. E), базы («Б», англ. B) и коллектора («К», англ. C). В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n (эмиттер — n-полупроводник, база — p-полупроводник, коллектор — n-полупроводник) и p-n-p транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты.

PNP — транзистор прямой проводимости.

NPN — транзистор обратной проводимости.

Определить структура транзистора и проверить его исправность можно при помощи мультиметра.

С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление.

Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).

Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.

В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий. Полупроводниковые приборы на его основе имеют ряд недостатков, и в настоящее время биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ-усилителей.

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Параметры транзистора КТ817

 

Uкбо — max напряжение коллектор-база
Uкбои — max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо — max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax — max постоянный ток коллектора
Iкmax и — max импульсный ток коллектора
Pкmax — max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т — max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э — коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо — ток коллектора (обратный)
fгр — граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

 

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 072)

www.joyta.ru

Самые популярные

Последние записи